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        電子元器件所能承受的靜電破壞的電壓是多少
        
            
        更新時間：2019-01-04      點擊次數：14780
        
            
        
                
        電子器件所能承受靜電破壞的靜電電壓是多少，相信大家都不知道吧，下面我們就一起來看看吧。
        以下是一些參考資料中給出的數據：
          器件類型
        靜電破壞電壓(V) 
            器件類型     
        靜電破壞電壓(V) 
          VMoS     
          30～1800 　      
          OP-AMP         
          190～2500        
          M0SFET   
          100～200　       
         JEFT           
          140～1000        
          GaAsFET  
          100～300       　
         SCL            
          680～1000        
          PROM     
         100            
         STTL           
          300～2500        
          CMoS     
          250～2000       　
         DTL            
          380～7000        
          HMOS     
          50～500       　 
          肖特基二極管   
          300～3000        
           E／DMOS  
          200～1000   　   
         雙極型晶體管   
          380～7000        
        ECL      
          300～2500 　     
         石英壓電晶體
          ＜10000          
        從上表可見大部分器件的靜電破壞電壓都在幾百至幾千伏，而在干燥的環境中人活動所產生的靜電可達幾千伏到幾萬伏。
        要想獲得某個元器件的所能能承受的靜電電壓要通過試驗才能測得。按照國內標準，一般使用靜電放電敏感度測試儀：
        電子元器件靜電敏感度的試驗主要用ESS-6008/ESS-6002半導體靜電放電模擬試驗器，而用電子元器件組裝成組件、整機的電子設備靜電試驗則用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A靜電放電模擬試驗器來做試驗。
        
            
        
            
            
            
        
        
    
        


        




        
    
        
        
        
            
        
                
        
                    
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